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产品简介:
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NTB75N03-6T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性,适合用于高效能开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的电源模块。 2. 电机控制:可用于直流电机驱动电路中,实现对电机启停与方向的高效控制。 3. 电池供电设备:如便携式电子产品、电动工具、无人机等,作为高效能开关元件以延长电池寿命。 4. 汽车电子系统:如车载充电器、LED照明驱动、车身控制模块等,满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 5. 工业自动化:在PLC、继电器替代方案和自动控制系统中用作高速开关元件。 该MOSFET采用TO-252封装,便于散热和安装,适合表面贴装工艺,适用于中高功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB75N03-6T4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5635pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 37.5A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |