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Datasheet下载- 型号： IRF6216TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6216TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6216TRPBF价格参考。International RectifierIRF6216TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6216TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6216TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF6216TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于FET/MOSFET单晶体管类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，适用于高效率、高密度电源设计。 典型应用场景包括： 1. 同步整流：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，作为同步整流管以提高能效，尤其在低压大电流输出场合表现优异。 2. 负载开关与电源管理：适用于电池供电设备中的电源通断控制，如便携式设备、笔记本电脑、移动电源等，可有效降低功耗。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现高效正反转及调速控制。 4. 热插拔与过流保护电路：凭借其快速响应特性，可用于服务器、通信设备中的热插拔控制器，防止浪涌电流损坏系统。 5. LED驱动与照明电源：在高亮度LED恒流驱动电源中作为主开关元件，提升转换效率。 IRF6216TRPBF采用TSDS-6（PowerPAK SO-8双面散热）封装，支持双面散热，有助于提升功率密度，适合空间受限但散热要求高的应用。其符合RoHS标准，无铅环保，广泛应用于消费电子、工业控制、电信电源和汽车辅助系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6216TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6216TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF6216TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 240 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 33 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 150 V |
| 漏极连续电流 | - 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6216.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6216.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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