Datasheet下载- 型号： FQD1N60TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N60TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N60TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N60TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD1N60TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD1N60TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1N60TF是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有600V的漏源击穿电压和1.2A的连续漏极电流能力，适用于中低功率的开关电源设计。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC/DC电源适配器、充电器、LED驱动电源等，作为主开关或同步整流开关，实现高效能电能转换。 2. 电机驱动：用于小型电机控制电路中，如风扇、泵类设备，提供快速开关和较低导通损耗。 3. DC/DC转换器：在升压（Boost）或降压（Buck）电路中作为高频开关元件，提升转换效率。 4. 逆变器系统：用于太阳能逆变器或UPS不间断电源中，实现直流到交流的能量转换。 5. 负载开关与电源管理：在需要高侧或低侧开关控制的系统中，用于控制电源通断，保护电路免受过载影响。 该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适合表面贴装工艺，广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD1N60TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
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