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  • 型号: NTD30N02T4
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD30N02T4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD30N02T4价格参考。ON SemiconductorNTD30N02T4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD30N02T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD30N02T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD30N02T4 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要参数包括:最大漏源电压(VDS)为20V,最大漏极电流(ID)为30A,适用于中低功率开关应用。

该器件广泛应用于以下场景:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,用于提高电源转换效率和系统稳定性。

2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机的启停与方向。

3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源切换和管理电路。

4. 工业自动化:用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业控制系统中,实现快速开关控制。

5. 汽车电子:如车载充电器、LED照明驱动、电动工具等场景,因其封装小巧且可靠性高,适合空间受限和高稳定性要求的应用。

该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和焊接,适合表面贴装工艺,广泛用于需要高效能与低成本兼顾的设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTD30N02T4

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.5 毫欧 @ 30A,10V

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NTD30N02T4OS

功率-最大值

75W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Ta)

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