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产品简介:
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NTD30N02T4 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要参数包括:最大漏源电压(VDS)为20V,最大漏极电流(ID)为30A,适用于中低功率开关应用。 该器件广泛应用于以下场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,用于提高电源转换效率和系统稳定性。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机的启停与方向。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源切换和管理电路。 4. 工业自动化:用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业控制系统中,实现快速开关控制。 5. 汽车电子:如车载充电器、LED照明驱动、电动工具等场景,因其封装小巧且可靠性高,适合空间受限和高稳定性要求的应用。 该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和焊接,适合表面贴装工艺,广泛用于需要高效能与低成本兼顾的设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD30N02T4 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.5 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | NTD30N02T4OS |
功率-最大值 | 75W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta) |