Datasheet下载- 型号： STP7N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP7N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP7N60M2价格参考￥3.05-￥8.12。STMicroelectronicsSTP7N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP7N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP7N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP7N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有7A电流容量和600V漏源击穿电压，适合中高功率应用。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等，提供高效能和低导通损耗。 2. 电机驱动器：适用于工业自动化设备、电动工具及家用电器中的电机控制电路。 3. 照明系统：如LED驱动电源、高压气体放电灯（HID）镇流器等。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中，实现电能转换与调节。 5. 家电控制：如电磁炉、微波炉等家电中的功率控制模块。 该MOSFET采用先进的制造工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）和高热稳定性，有助于提高系统效率并减少散热设计复杂度，适合在高温环境下稳定工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP7N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP7N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 8.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 860 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 860 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 7.2 ns |
| 下降时间 | 15.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 271pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 2.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13975-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 19.3 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 系列 | STP7N60M2 |
| 配置 | Single |
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