Datasheet下载- 型号： RUM002N05T2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RUM002N05T2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUM002N05T2L价格参考。ROHM SemiconductorRUM002N05T2L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RUM002N05T2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RUM002N05T2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RUM002N05T2L 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款小信号N沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅约1.2×0.8×0.5 mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为3.5 Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈0.7 nC）和快速开关特性。其额定电压为50 V，连续漏极电流ID为200 mA（Ta=25℃），适合低压、小功率、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括： ✅ 便携式设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、振动马达控制或传感器供电开关； ✅ 负载开关（Load Switch）：用于USB外设供电控制、模块级上电时序管理，利用其低静态电流（Igss < 100 nA）实现节能； ✅ 信号切换与逻辑电平转换：在低功耗MCU（如MSP430、CC26xx系列）GPIO驱动能力不足时，作为电平移位缓冲器或模拟开关替代方案； ✅ 电池供电IoT节点：用于传感器唤醒/休眠控制、无线模块（BLE/Wi-Fi）电源门控，显著降低待机功耗； ✅ DC-DC转换器辅助电路：在升压/降压芯片外围用作使能控制、反馈路径开关或过流保护检测开关。 该器件无铅、符合RoHS，支持高密度贴装，特别适用于对PCB面积、功耗和成本敏感的消费类及工业嵌入式应用。需注意其电流能力有限，不适用于电机驱动或大电流开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMTMOSFET TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUM002N05T2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RUM002N05T2L |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | RUM002N05T2L-ND |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
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