Datasheet下载- 型号： STB7ANM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB7ANM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB7ANM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB7ANM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB7ANM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB7ANM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB7ANM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率应用场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和较高的电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如AC-DC、DC-DC转换器，用于工业电源、服务器电源和通信设备电源系统中，实现高效的电能转换。 2. 电机驱动：在变频器或电机控制模块中，用于驱动各种交流或直流电机，常见于工业自动化设备、家电（如空调、洗衣机）中。 3. 照明系统：如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路，实现高效率和长寿命的照明解决方案。 4. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中，用于能量转换和管理，提高能源利用效率。 5. 电动汽车相关应用：如车载充电器（OBC）、DC-DC变换器等，支持电动车的电能管理系统。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中高功率密度设计。其导通电阻低、开关损耗小，有助于提升系统效率并减少发热，广泛应用于工业控制、消费电子和绿色能源等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB7ANM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 363pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-13935-6 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
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