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  • 型号: IRLR024TRPBF
  • 制造商: Vishay
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IRLR024TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR024TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR024TRPBF价格参考¥4.02-¥8.86。VishayIRLR024TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR024TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR024TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRLR024TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):IRLR024TRPBF具有低导通电阻(Rds(on)),使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,能够有效降低功率损耗并提高效率。

2. 电机驱动:该MOSFET可用于小型直流电机驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节,适用于家用电器、玩具和工业自动化设备。

3. 负载开关:在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,IRLR024TRPBF可以用作负载开关,提供快速的开关响应和低功耗特性,同时保护电路免受过流或短路的影响。

4. 电池管理:该器件适用于电池管理系统(BMS),用于控制电池充放电过程中的电流流动,确保电池安全运行并延长使用寿命。

5. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,IRLR024TRPBF可以作为同步整流器的一部分,提高转换效率并减少热量产生。

6. LED驱动:在LED照明应用中,这款MOSFET可用于调节LED电流,实现亮度控制和调光功能,同时保持高能效。

7. 信号切换:在通信和数据处理设备中,IRLR024TRPBF可用于信号切换,提供稳定的信号传输路径,同时减少信号失真。

由于其低导通电阻、高电流处理能力和良好的热性能,IRLR024TRPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,为各种电力电子系统提供高效可靠的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 14A DPAKMOSFET N-Chan 60V 14 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLR024TRPBF-

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产品型号

IRLR024TRPBFIRLR024TRPBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

110 ns

下降时间

41 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

870pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 8.4A,5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

IRLR024PBFTR
IRLR024TRPBF-ND
IRLR024TRPBFTR-ND

典型关闭延迟时间

23 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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