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Datasheet下载- 型号： PSMN2R9-30MLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN2R9-30MLC,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R9-30MLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R9-30MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R9-30MLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 91W（Tc） LFPAK33。您可以下载PSMN2R9-30MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R9-30MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN2R9-30MLC,115 是一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，提高能量转换效率，适用于通信设备、服务器和工业控制系统中的电源模块。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中作为电机驱动开关，实现对电机转速与方向的精确控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车（EV）、储能系统及便携式电子设备中，作为充放电回路的开关元件，保障电池安全运行。 4. 负载开关：在各类电子设备中用作高侧或低侧负载开关，实现对不同功能模块的供电控制，提升系统能效与安全性。 5. 逆变器与变频器：适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，参与将直流电转换为交流电的过程，支持清洁能源系统的构建。 该MOSFET具备优良的热稳定性和耐用性，适合在较为严苛的环境条件下工作，是现代高效能电子产品中的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN2R9-30MLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2419pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-9573-6 |
| 功率-最大值 | 91W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
