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Datasheet下载- 型号： PSMN2R9-30MLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN2R9-30MLC,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R9-30MLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R9-30MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R9-30MLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 91W（Tc） LFPAK33。您可以下载PSMN2R9-30MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R9-30MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN2R9-30MLC,115是一款30V、逻辑电平增强型N沟道MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅2.9mΩ @ Vgs=10V，4.2mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID可达120A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，显著降低导通损耗，提升能效。 - 电动工具与电池供电设备：适用于12–24V电池系统中的电机驱动H桥或单路开关，支持大电流瞬态响应，配合逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU），简化栅极驱动设计。 - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光电路中用作主开关，实现高效、低发热的PWM控制。 - eMobility辅助系统：如车载充电机（OBC）辅助电源、电池管理系统（BMS）中的隔离开关或预充电电路。 - 工业控制与PLC模块：作为固态继电器（SSR）替代方案，用于高可靠性、长寿命的负载开关应用。 该器件通过AEC-Q101认证（部分批次），具备高鲁棒性（100% UIS测试、雪崩耐量强）、低开关损耗及优良EMI特性，适合对功率密度、可靠性和热管理要求严苛的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN2R9-30MLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2419pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-9573-6 |
| 功率-最大值 | 91W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
