Datasheet下载- 型号： IXFH30N50Q
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH30N50Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH30N50Q价格参考。IXYSIXFH30N50Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH30N50Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH30N50Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH30N50Q是一款高性能的N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件具有30A电流承载能力和500V漏源击穿电压，导通电阻低，开关速度快，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 其典型应用场景包括：工业电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器（如太阳能逆变器和变频器）、感应加热设备以及电动车辆的电源管理系统。由于具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，IXFH30N50Q在高温、高负载环境下仍能保持可靠运行，适合严苛工业环境使用。 此外，该MOSFET常用于DC-AC和DC-DC转换电路中，作为主开关元件实现高效能量转换。其TO-247封装形式有助于良好散热，提升整体系统可靠性。总之，IXFH30N50Q广泛应用于需要高电压、大电流和高效率控制的工业与能源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFH30N50Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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