Datasheet下载- 型号： STP4NB80
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP4NB80由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP4NB80价格参考。STMicroelectronicsSTP4NB80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP4NB80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP4NB80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STP4NB80是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有800V的高漏源击穿电压和4A的连续漏极电流能力，适用于需要高电压和中等电流开关的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如电视、显示器、充电器和工业电源模块，其高耐压特性适合反激式或正激式拓扑结构。 2. 照明驱动电路：可用于LED驱动电源和电子镇流器中，支持高效能、高可靠性的照明系统设计。 3. 电机控制：适用于中小功率电机驱动，如家用电器（洗衣机、风扇）、电动工具等，实现高效的开关控制。 4. 工业控制系统：在继电器驱动、电源管理模块和工业自动化设备中用作功率开关元件。 5. 高压电源单元：用于激光设备、复印机、扫描仪等办公设备中的高压生成电路。 STP4NB80具备低导通电阻（RDS(on)）和良好的热稳定性，有助于降低功耗并提升系统效率。其TO-220FP封装便于散热安装，适合紧凑型高功率密度设计。综合来看，该MOSFET适用于对可靠性与能效要求较高的中高电压工业与消费类电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP4NB80 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-2781-5 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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