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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI5441BDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5441BDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5441BDC-T1-E3价格参考。VishaySI5441BDC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5441BDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5441BDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5441BDC-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm DFN1212封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率，适用于空间受限的高性能电源管理应用。该器件主要应用于便携式电子设备中的负载开关、电源开关及电机驱动等场景。 典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。在这些设备中，SI5441BDC-T1-E3常用于电池供电系统的电源管理模块，实现对不同功能模块（如显示屏、摄像头、传感器）的高效上电与断电控制，从而降低待机功耗，延长电池续航时间。 此外，该MOSFET也适用于同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压变换器）以及热插拔电路中，凭借其快速开关特性和低导通损耗，有助于提升整体能效并减少发热。由于其小型化封装，特别适合高密度PCB布局，满足现代电子产品轻薄化需求。 总体而言，SI5441BDC-T1-E3广泛应用于需要高效、紧凑、低功耗电源开关解决方案的消费类电子、通信设备和便携式工业设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73207 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5441BDC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5441BDC-T1-E3SI5441BDC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5441BDC-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 4.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5441BDC-E3 |
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