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Datasheet下载- 型号： QS5U28TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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QS5U28TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS5U28TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS5U28TR价格参考。ROHM SemiconductorQS5U28TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5。您可以下载QS5U28TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS5U28TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的QS5U28TR是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：QS5U28TR适用于各种开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提高效率。 2. 负载开关：在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑等，该MOSFET可用作负载开关，实现对不同电路模块的动态供电控制，从而节省电能并延长电池寿命。 3. 电机驱动：小型直流电机或步进电机驱动电路中可以使用此器件作为开关元件，用于控制电机的启动、停止及速度调节。 4. 电池保护：在锂电池保护板上，QS5U28TR可用于过流、短路保护等功能，确保电池安全运行。 5. 信号切换：在音频设备或其他需要高速信号切换的应用场合下，该产品凭借快速开关特性成为理想选择。 6. 汽车电子系统：尽管具体耐温范围需查阅数据手册确认，但一般情况下，这类MOSFET也适用于部分车载环境下的简单控制任务，比如车窗升降器、座椅调节等辅助功能模块。 总之，QS5U28TR凭借其优异的电气性能，在消费类电子产品、工业自动化设备以及一些轻型汽车应用等领域均有广泛用途。实际应用时应根据具体需求考虑散热设计等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5MOSFET P-CH 20V 2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS5U28TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | QS5U28TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT5 |
| 其它名称 | QS5U28DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 封装/箱体 | TSMT-5 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1004-KIT/846-1004-KIT-ND/2277305 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
