Datasheet下载- 型号： SI4825DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4825DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4825DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4825DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4825DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4825DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4825DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关、电源切换与保护，如笔记本电脑、平板及移动设备中的 DC-DC 转换器。 2. 负载开关与热插拔控制：因其低导通电阻和高可靠性，适合用于服务器、通信设备中的热插拔电路保护与负载控制。 3. 马达驱动与继电器替代：在小型电机控制或固态继电器中作为高效电子开关使用。 4. 汽车电子系统：用于车载电源系统、LED 照明控制等对空间与效率有要求的场合。 该器件采用小型封装（如 TSOP），适合高密度 PCB 设计，具备良好的热稳定性与耐用性，适合工业级应用需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4825DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 11.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4825DY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.1A （Ta） |
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