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Datasheet下载- 型号： STB80NF10T4
- 制造商： STMicroelectronics
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STB80NF10T4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB80NF10T4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB80NF10T4价格参考。STMicroelectronicsSTB80NF10T4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK。您可以下载STB80NF10T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB80NF10T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB80NF10T4是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，提供高效能和低导通电阻，提升能源利用效率。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机或无刷电机驱动电路中作为功率开关，实现对电机速度与方向的精确控制。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）及逆变器中用于将直流电转换为交流电，具备快速开关特性和高可靠性。 4. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统等，适用于严苛的汽车工作环境。 5. 工业自动化设备：用于工业控制系统中的负载开关、继电器替代以及高频开关应用。 6. 消费类电子产品：如大功率LED照明、智能家电中的功率调节模块等。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性，适合高频率开关操作，有助于减小系统体积并提高整体效率。采用TO-220AB封装，便于散热和安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKMOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB80NF10T4STripFET™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB80NF10T4 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 182nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-2489-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64524?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 116 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STB80NF10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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