Datasheet下载- 型号： FQI10N20CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI10N20CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI10N20CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI10N20CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI10N20CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI10N20CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI10N20CTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - FQI10N20CTU 的耐压值为 200V，适合用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度。 - 适用于家用电器、电动工具和其他需要高效功率控制的场景。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，该 MOSFET 可用作功率级开关，将直流电转换为交流电。 - 其高耐压能力和快速开关速度使其非常适合此类应用。 4. 负载切换 - 在汽车电子、工业设备或消费电子产品中，FQI10N20CTU 可用于负载切换，以实现对不同电路模块的动态供电管理。 - 例如，在汽车启动系统或 LED 照明系统中，它可以用作负载开关。 5. 保护电路 - 由于其高耐压特性和良好的热性能，该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护或浪涌抑制电路。 - 例如，在电池管理系统（BMS）中，它可以防止过充或过放。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中，FQI10N20CTU 可用作输出级开关，提供高效的功率输出，同时降低热量产生。 7. 其他工业应用 - 包括继电器替代、电磁阀控制、LED 驱动等需要高压、高效开关的应用场景。 总之，FQI10N20CTU 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力，广泛应用于各种需要高效功率控制和切换的领域。具体选择时需根据实际电路需求考虑其额定电流、功耗和散热设计等因素。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI10N20CTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 4.75A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 72W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Tc） |
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