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  • 型号: IRL630STRRPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL630STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL630STRRPBF价格参考。VishayIRL630STRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL630STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL630STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRL630STRRPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于低电压、大电流应用的场效应晶体管(FET)。该器件采用TO-252(D-Pak)封装,具有较低的导通电阻(RDS(on)),适用于高效率开关电源设计。

IRL630STRRPBF 主要应用于直流电机控制、电源开关电路、逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及电池管理系统中。由于其栅极驱动电压兼容逻辑电平(可直接由微控制器驱动),常用于微处理器控制的开关系统,如智能家电、工业自动化设备和汽车电子系统中的负载驱动。

此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,并通过了RoHS环保认证(“PbF”表示无铅),适合对环保要求较高的消费类电子产品与工业设备。其快速开关特性也使其在脉宽调制(PWM)控制中表现优异,广泛用于DC-DC转换器和电源管理模块。

总之,IRL630STRRPBF凭借其高效能、易驱动和稳定可靠的特点,在电源控制、电机驱动及嵌入式系统中具有广泛应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

IRL630STRRPBF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

400 毫欧 @ 5.4A,5V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

3.1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

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