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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 IRL630STRRPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于低电压、大电流应用的场效应晶体管(FET)。该器件采用TO-252(D-Pak)封装,具有较低的导通电阻(RDS(on)),适用于高效率开关电源设计。 IRL630STRRPBF 主要应用于直流电机控制、电源开关电路、逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及电池管理系统中。由于其栅极驱动电压兼容逻辑电平(可直接由微控制器驱动),常用于微处理器控制的开关系统,如智能家电、工业自动化设备和汽车电子系统中的负载驱动。 此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,并通过了RoHS环保认证(“PbF”表示无铅),适合对环保要求较高的消费类电子产品与工业设备。其快速开关特性也使其在脉宽调制(PWM)控制中表现优异,广泛用于DC-DC转换器和电源管理模块。 总之,IRL630STRRPBF凭借其高效能、易驱动和稳定可靠的特点,在电源控制、电机驱动及嵌入式系统中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRL630STRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 5.4A,5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |