Datasheet下载- 型号： FQPF5N60
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF5N60由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF5N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF5N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF5N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF5N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF5N60是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。其额定电压为600V，额定电流为5A，适合中高功率场合。该器件广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和照明镇流器等电路中，因其具备低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，有助于提升系统能效并降低损耗。此外，它也适用于家用电器和工业设备中的功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF5N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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