ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > MMIX1F520N075T2
Datasheet下载- 型号： MMIX1F520N075T2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F520N075T2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F520N075T2价格参考。IXYSMMIX1F520N075T2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 500A（Tc） 830W（Tc） 24-SMPD。您可以下载MMIX1F520N075T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1F520N075T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMIX1F520N075T2 是 Littelfuse 推出的一款高性能碳化硅（SiC）N沟道增强型MOSFET，采用TO-247-3L封装，额定电压750 V，典型导通电阻（Rds(on)）仅约19 mΩ（Tj=25°C），具备低开关损耗、高开关频率和优异的高温稳定性。 其主要应用场景包括： • 工业电源与服务器电源：用于PFC（功率因数校正）级和DC-DC变换器，提升效率（尤其在连续导通模式CCM下），减小散热器尺寸； • 光伏逆变器：作为升压级或逆变桥臂开关，利用SiC的高压、高速特性，提高转换效率（>99%）并支持更高MPPT跟踪精度； • 储能系统（ESS）双向DC-DC变换器：支持高频软开关设计，降低磁性元件体积，增强系统功率密度与可靠性； • 电动汽车车载充电机（OBC）：满足高功率密度、宽温度范围（-55°C ~ +175°C结温）及AEC-Q101认证要求（该器件已通过车规级可靠性验证），适用于6.6 kW/11 kW OBC主拓扑； • UPS不间断电源：提升整流与逆变环节效率，延长电池续航，降低运行温升。 该器件支持15–20 V栅极驱动，具备良好的抗雪崩能力与短路耐受时间（典型2 µs @ 15 V Vgs），配合Littelfuse专用SiC驱动方案（如LSIC1BEX系列），可实现高效、鲁棒的系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 75V 500A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMIX1F520N075T2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 41000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 545nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500A （Tc） |
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