Datasheet下载- 型号： NVMFS4841NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS4841NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS4841NT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS4841NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFS4841NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFS4841NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFS4841NT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET因其低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性而被广泛使用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理： NVMFS4841NT1G 常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电源管理电路中，适用于笔记本电脑、服务器、电源适配器等设备的高效能电源设计。 2. 电机控制： 在电动工具、小型电机驱动和风扇控制电路中，该MOSFET可作为开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池管理系统（BMS）： 由于其高可靠性和低功耗特性，该器件适用于电池保护电路，如过流保护、充放电控制等，广泛用于电动车、储能系统和便携式电子设备中。 4. 工业自动化与控制： 在工业PLC、继电器替代和自动化控制系统中，该MOSFET可用于高频率开关操作，提高系统效率与稳定性。 5. 汽车电子： 支持车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等应用，满足汽车电子对高可靠性和工作温度范围广的要求。 该MOSFET采用表面贴装封装，便于自动化生产和散热设计，适用于多种高效率、高密度的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FLMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 89 A |
| Id-连续漏极电流 | 89 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVMFS4841NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVMFS4841NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 112 W |
| Pd-功率耗散 | 112 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1436pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
| 系列 | NVMFS4841N |
| 配置 | Single |
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