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产品简介:
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FQD5N50TF 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于需要高效率、高电压和中等电流控制的场合。其主要特点包括高耐压(500V)、低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。 该器件典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,用于高效能电能转换和调节。 2. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如电动工具、风扇、泵类等的驱动模块。 3. 照明系统:用于LED驱动电源、高压气体放电灯(HID)镇流器等照明控制电路。 4. 家电控制:如电磁炉、洗衣机、空调等家用电器中的功率控制部分。 5. 工业自动化:在工业控制设备、PLC模块、继电器替代电路中实现高速开关控制。 由于其封装为TO-252(DPAK),便于散热和安装,适合在中高功率应用中使用。此外,该MOSFET具备较高的可靠性,适用于对稳定性要求较高的工业和消费类电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD5N50TF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 欧姆 @ 1.75A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Tc) |