Datasheet下载- 型号： DMG4496SSS-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG4496SSS-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG4496SSS-13价格参考。Diodes Inc.DMG4496SSS-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG4496SSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG4496SSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG4496SSS-13是一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装的特点，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电池充电电路及电压调节模块，实现高效的电能转换与分配。 2. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中作为电源开关，控制外设或模块的供电，实现低功耗管理。 3. 马达驱动与继电器替代：用于小型马达、电磁阀或继电器控制电路，提供快速开关响应和高耐压能力。 4. 保护电路：在过流、过压保护电路中作为控制元件，提升系统安全性和稳定性。 5. 工业控制与通信设备：广泛应用于工业自动化设备、网络通信模块等场景中，作为功率开关或信号控制元件。 该MOSFET采用SOT26封装，适合高密度PCB布局，适用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOMOSFET MOSFET N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG4496SSS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG4496SSS-13 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.42 W |
| Pd-功率耗散 | 1.42 W |
| Qg-GateCharge | 4.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 3.64 ns |
| 下降时间 | 4.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 493.5pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | DMG4496SSS-13DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 4.9 ns |
| 功率-最大值 | 1.42W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 系列 | DMG4496 |
| 配置 | Single |
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