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- 型号： NTHD4P02FT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD4P02FT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD4P02FT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD4P02FT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD4P02FT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD4P02FT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTHD4P02FT1G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要低电压、低功耗控制的电子系统中。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与负载开关，用于电池供电系统的通断控制，有效降低功耗并延长续航时间；在DC-DC转换电路中作为同步整流或开关元件，提升电源转换效率；适用于热插拔电路和过压/过流保护电路，提供可靠的开关控制能力；还可用于电机驱动、继电器驱动等中小功率开关控制场合。 NTHD4P02FT1G具有低导通电阻（RDS(on)）、小封装（如SOT-23）、高可靠性及符合RoHS环保要求，适合高密度PCB布局和空间受限的设计。其-20V的漏源电压和-4A的连续漏极电流能力，使其在工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子外围电路中均有良好表现。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗干扰能力，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于对稳定性要求较高的嵌入式系统。 综上，NTHD4P02FT1G是一款高性能P沟道MOSFET，适用于各类低电压、高效率的电源开关与控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFETMOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD4P02FT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTHD4P02FT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD4P02FT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Tj） |
| 系列 | NTHD4P02 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
| 闸/源击穿电压 | +/- 12 V |
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