Datasheet下载- 型号： SI8466EDB-T2-E1
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8466EDB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8466EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8466EDB-T2-E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI8466EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8466EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI8466EDB-T2-E1是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管。该器件采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率，适用于多种电源管理与开关控制场景。 主要应用场景包括：便携式电子设备中的负载开关或电源切换，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑；电池供电系统中的反向电流保护和电池极性保护电路；DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关；以及各类消费类电子产品中的信号开关和电源管理模块。 SI8466EDB-T2-E1支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V GPIO信号控制，简化了驱动电路设计。其小型化的SOT-23封装节省PCB空间，适合高密度布局。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，可在工业温度范围内稳定工作，适用于对空间和能效要求较高的应用环境。 综上，SI8466EDB-T2-E1广泛用于便携设备、电源管理、电池系统及各类低电压开关电路中，是一款高性能、高集成度的P沟道MOSFET解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOTMOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8466EDB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8466EDB-T2-E1SI8466EDB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 0.7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 0.7 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 2A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8466EDB-T2-E1CT |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 780mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | MICROFOOT TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 43 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，WLCSP |
| 封装/箱体 | Micro Foot-4 1x1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 8 V |
| 漏极连续电流 | 5.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-8v-n-ch-mosfet/3196 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 配置 | Single |
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