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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS5811NLTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS5811NLTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS5811NLTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTTFS5811NLTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTTFS5811NLTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTTFS5811NLTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。以下是该型号在不同应用场景中的典型用途: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):作为高频开关器件,用于 DC-DC 转换器、降压或升压电路中,实现高效的电压调节。 - 负载开关:用于控制设备的供电路径,确保系统启动和关闭时平稳过渡,避免电流冲击。 - 电池保护:应用于锂电池管理系统中,防止过充、过放及短路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机速度和方向。 - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合使用,实现双向电机驱动。 3. 工业自动化 - 固态继电器:替代传统机械继电器,提供更快的切换速度和更长的使用寿命。 - 传感器接口:为各种工业传感器供电或信号调理。 4. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理单元。 - USB 充电端口保护:限制过流并提供短路保护。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制器和座椅加热器等。 - LED 照明驱动:用于车内照明系统的高效电流控制。 6. 通信设备 - 信号放大与切换:在低噪声放大器和射频前端模块中用作开关元件。 - 网络设备电源:为路由器、交换机等设备提供稳定的电源输出。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高切换频率:适合需要快速响应的应用场景。 - 良好的热性能:能够在较高环境温度下稳定工作。 总之,NTTFS5811NLTAG 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛适用于需要高效能、低功耗和紧凑设计的各种电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFNMOSFET Single N-CH 40V 53A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 53 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS5811NLTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTTFS5811NLTAG |
| Pd-PowerDissipation | 2.7 W, 33 W |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W, 33 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.4 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
| 其它名称 | NTTFS5811NLTAGOSDKR |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 功率耗散 | 2.7 W, 33 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 31 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 53 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Ta), 53A (Tc) |
| 系列 | NTTFS5811NL |
| 配置 | Single |