Datasheet下载- 型号： IRFRC20PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFRC20PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFRC20PBF价格参考。VishayIRFRC20PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFRC20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFRC20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFRC20PBF 是 Vishay Siliconix（威世科技）生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件常用于电源管理和开关电路中。 主要参数特点： - 类型：P 沟道 MOSFET - 最大漏源电压（VDS）：-20V - 最大连续漏极电流（ID）：-4.1A - 导通电阻低，适合高频开关应用 - 封装形式为 TSOP，体积小，适合高密度 PCB 设计 典型应用场景包括： 1. 负载开关与电源管理 适用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源控制，作为高效能负载开关使用，实现对不同功能模块的供电管理。 2. DC-DC 转换器与同步整流 在低压直流转换电路中作为同步整流器或开关元件，提升转换效率，尤其适用于电池供电系统中的升压/降压电路。 3. 马达驱动与继电器替代 可用于小型电机控制、电磁阀或继电器的固态替代方案，具备快速开关能力和较高可靠性。 4. 热插拔保护电路 在服务器和通信设备中用于构建热插拔控制器，防止插拔过程中电流冲击损坏系统。 5. 电池管理系统（BMS） 应用于多节电池组的充放电控制，配合保护 IC 实现过流、短路等安全机制。 总结来说，IRFRC20PBF 凭借其小封装、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于各类低电压、中功率级别的电源控制和转换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAKMOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFRC20PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91285 |
| 产品型号 | IRFRC20PBFIRFRC20PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.4 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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