Datasheet下载- 型号： IRFB812PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB812PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB812PBF价格参考。International RectifierIRFB812PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB812PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB812PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFB812PBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单个器件。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - IRFB812PBF适用于开关电源中的功率开关，用于高效转换电压和电流。其低导通电阻（Rds(on)）特性可减少能量损耗，提高效率。 - 常见应用：适配器、充电器、工业电源等。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动中，该MOSFET可用作开关元件，控制电机的启停、转速和方向。 - 适合低至中等功率的直流电机或步进电机驱动。 3. DC-DC转换器 - 作为同步整流器或主开关，用于DC-DC转换器中，提供高效的电压转换功能。 - 应用于汽车电子、消费电子及通信设备中的电源管理。 4. 逆变器 - 在小型逆变器中，IRFB812PBF可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器或家用电器逆变器。 5. 负载开关 - 用作负载开关以控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路影响。 - 应用于便携式设备、笔记本电脑和其他需要动态电源管理的场景。 6. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，该MOSFET可以作为充放电路径的开关，确保电池安全运行并防止过充或过放。 7. 继电器替代 - 在某些应用场景中，IRFB812PBF可以用作固态继电器的替代品，提供更快的开关速度和更长的使用寿命。 特性优势： - 高耐压能力：IRFB812PBF具有较高的漏源极击穿电压（BVdss），适用于高压环境。 - 低导通电阻：降低导通损耗，提升系统效率。 - 快速开关速度：支持高频工作，适合现代高效电源设计。 综上所述，IRFB812PBF广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信设备等领域，尤其在需要高效功率转换和控制的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 500V 3.6A TO220ABMOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB812PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB812PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 78 W |
| Pd-功率耗散 | 78 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.75 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.75 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 78W |
| 功率耗散 | 78 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.75 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 13.3 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 3.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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