ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQD13N10TM
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQD13N10TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD13N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD13N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD13N10TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD13N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD13N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD13N10TM 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其典型应用场景包括但不限于以下方面: 1. 开关电源(SMPS) - FQD13N10TM 的耐压值为 100V,导通电阻低(典型值约为 0.27Ω),适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 可用作同步整流器、降压或升压转换器中的主开关或同步整流开关。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可作为功率开关,控制电机的启停、速度和方向。 - 其低导通电阻有助于减少功耗,提高效率。 3. 负载开关 - 适用于需要快速开启/关闭负载的应用场景,例如便携式设备中的电池管理。 - 能够有效降低静态电流,延长电池寿命。 4. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护等场景。通过检测电流并限制 MOSFET 的导通状态,防止后端电路损坏。 - 在 USB 充电接口中,可作为保护开关使用。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中,FQD13N10TM 可作为功率开关,将直流电转换为交流电。 - 其高频率性能和低损耗特性使其非常适合此类应用。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中,MOSFET 可作为输出级开关,提供高效的功率传输。 - 其低导通电阻有助于减少热损耗,提高音质。 7. 汽车电子 - 在车载电子系统中,可用于控制灯光、风扇、泵等负载。 - 其 100V 的额定电压能够适应汽车电气系统的电压波动。 总结 FQD13N10TM 凭借其低导通电阻、高频率特性和适中的耐压能力,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。具体选择时需根据实际电路需求(如工作电压、电流、频率等)进行评估和设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD13N10TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQD13N10TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 55 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FQD13N10TM-ND |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 180 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 6.3 S |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 10 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
系列 | FQD13N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQD13N10TM_NL |