ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SI2300DS-T1-GE3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI2300DS-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2300DS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2300DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2300DS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SI2300DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2300DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2300DS-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET,采用SOT-23封装,具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。 典型应用场景包括:手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关和负载开关,用于控制电池供电路径或模块供电管理;在DC-DC转换电路中作为同步整流或电平转换元件,提升能效;适用于热插拔电路和过压保护电路,实现安全的电源切换;还可用于驱动LED背光、传感器模块和其他低功率外围设备的开关控制。 其低阈值电压和良好的栅极耐压能力,使其兼容3.3V或5V逻辑信号,便于与微控制器直接接口。此外,SI2300DS-T1-GE3符合RoHS环保标准,适合对空间和功耗敏感的高密度电路设计。总体而言,该MOSFET适用于需要高效、小型化和低功耗解决方案的各种低压电源管理系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23MOSFET 30V 3.6A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2300DS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2300DS-T1-GE3SI2300DS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| Qg-GateCharge | 6.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 320pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 68 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | SI2300DS-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 55 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 3.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2300DS-GE3 |