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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N50TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB6N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB6N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB6N50TM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效功率转换和开关控制的场合。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效率的功率开关,提升能源转换效率。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中,作为功率开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 照明系统:如LED驱动电源中,用于恒流控制和调光功能的实现。 4. 工业自动化设备:用于工业控制模块、继电器替代、负载开关等场合,提供快速开关响应和低导通损耗。 5. 消费类电子产品:如电视电源、充电器、音响设备等,满足高效率、小体积的设计需求。 该MOSFET具备高耐压(500V)、低导通电阻(典型值为1.8Ω)和较高工作电流能力,适合中高功率应用。采用TO-252封装,便于散热和安装,适用于多种电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB6N50TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.3 欧姆 @ 2.8A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |