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Datasheet下载- 型号： TK31J60W5,S1VQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK31J60W5,S1VQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK31J60W5,S1VQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK31J60W5,S1VQ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）。您可以下载TK31J60W5,S1VQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK31J60W5,S1VQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK31J60W5,S1VQ是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景广泛，尤其适用于需要高效功率转换和控制的场合。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理： - 该MOSFET常用于开关电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流器。它能够快速切换，减少能量损耗，提高电源效率。 - 在DC-DC转换器中，用于调节输出电压，确保稳定的电力供应。 2. 电机驱动： - 适用于小型电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。通过精确控制电流，实现电机的平稳启动、停止和调速。 - 在电动工具、家用电器（如吸尘器、电风扇）中，用作功率控制元件。 3. 电池管理系统（BMS）： - 在锂电池保护电路中，用于充放电控制，防止过充、过放、短路等问题。 - 在电动汽车、储能系统中，作为关键的功率开关，确保电池的安全和高效使用。 4. 工业自动化： - 用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口等设备，实现信号隔离和功率放大。 - 在工厂自动化系统中，作为执行机构的驱动元件，如电磁阀、继电器等。 5. 消费电子： - 在智能手机、平板电脑等便携式设备中，用于电源管理和负载切换，延长电池续航时间。 - 在音频设备中，作为音频信号的放大和控制元件，提升音质表现。 6. 通信设备： - 在基站、路由器等通信设备中，用于电源管理和信号处理，确保稳定可靠的通信性能。 7. 汽车电子： - 在车载电子系统中，如车身控制系统、娱乐系统、安全系统等，提供高效的功率转换和控制功能。 - 在新能源汽车中，作为逆变器的关键组件，将直流电转换为交流电，驱动电动机。 总之，TK31J60W5,S1VQ凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景中，特别是在电源管理、电机驱动和电池管理系统等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 3000 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 30.8 TO-3P(N)MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 30.8 A |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31J60W5 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK31J60W5,S1VQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31J60W5 |
| 产品型号 | TK31J60W5,S1VQ |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 86 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 73 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 15.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 其它名称 | TK31J60W5S1VQ |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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