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产品简介:
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BSS225H6327FTSA1 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),且为单通道类型。该型号的 MOSFET 通常适用于以下应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于开关电源中的功率转换,提高效率并减少能量损耗。 - 负载开关:控制电路中负载的开启和关闭,保护电路免受过流或短路的影响。 - 低压降稳压器 (LDO):作为开关元件,帮助实现高效的电压调节。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:例如在消费电子设备(如风扇、玩具等)中,用于驱动低功率直流电机。 - H 桥电路:用于双向电机控制,通过切换 MOSFET 的状态实现电机正转和反转。 3. 信号切换 - 模拟信号切换:在音频设备或多路复用器中,用于切换不同的信号路径。 - 数字信号隔离:通过 MOSFET 实现高低电平之间的信号隔离,防止干扰。 4. 保护电路 - 过流保护:利用 MOSFET 的快速响应特性,检测并切断异常电流。 - ESD 保护:防止静电放电对敏感电路造成损害。 - 短路保护:在发生短路时迅速断开电路,避免损坏其他组件。 5. 便携式设备 - 电池管理:用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品的电池充放电管理。 - 背光驱动:控制 LCD 或 OLED 显示屏的背光亮度。 6. 通信与数据接口 - USB 端口保护:在 USB 接口中,用于限制电流并保护主机设备。 - 信号增强:在通信电路中,用于放大或增强弱信号。 7. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):用于车窗升降、座椅调节等功能的低功耗控制。 - LED 驱动:为汽车内部和外部照明系统提供稳定的电流驱动。 总结 BSS225H6327FTSA1 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,广泛应用于各种低功率、高效能需求的场景中。具体选择时,需根据实际电路要求(如电压、电流、频率等参数)进行匹配设计。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | 90 mA |
Id-连续漏极电流 | 90 mA |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 600V 45Ohm 90mA |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1 |
产品型号 | BSS225H6327FTSA1 |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Qg-GateCharge | 3.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 3.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 28 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
上升时间 | 38 ns |
下降时间 | 41 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 62 ns |
商标 | Infineon Technologies |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-89-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 0.05 S |
系列 | BSS225 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SP001047644 |