Datasheet下载- 型号： PSMN2R6-60PSQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R6-60PSQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R6-60PSQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R6-60PSQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R6-60PSQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R6-60PSQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R6-60PSQ 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类型。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： PSMN2R6-60PSQ 具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。它能够有效降低功耗，提高转换效率。 2. 电机驱动： 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。其低 Rds(on) 和快速开关能力使其成为高效电机控制的理想选择。 3. 负载开关： 在消费电子设备中，PSMN2R6-60PSQ 可用作负载开关，用于动态开启或关闭特定电路以节省电能。例如，在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中实现电源管理。 4. 电池保护与管理： 它可用于电池管理系统（BMS），提供过流保护、短路保护以及充放电控制功能。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗。 5. 逆变器和 UPS 系统： 在不间断电源（UPS）或小型逆变器应用中，这款 MOSFET 能够处理高频开关操作，确保稳定的输出性能。 6. 汽车电子： 由于其坚固的设计和宽电压范围（60V 耐压），PSMN2R6-60PSQ 也适合用于汽车电子系统中的各种控制电路，如电动车窗、座椅调节和照明控制等。 7. 工业自动化： 在工业领域，该 MOSFET 可用于继电器替代、固态继电器设计以及信号放大等场合，满足高可靠性要求。 总结来说，PSMN2R6-60PSQ 凭借其优异的电气特性和稳定性，广泛应用于需要高效功率转换、低损耗和快速响应的各种电子设备及系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 150A TO-220MOSFET N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 A |
| Id-连续漏极电流 | 150 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R6-60PSQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R6-60PSQ |
| Pd-PowerDissipation | 326 W |
| Pd-功率耗散 | 326 W |
| Qg-GateCharge | 140 nC |
| Qg-栅极电荷 | 140 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7629pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10165-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 87 ns |
| 功率-最大值 | 326W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150A （Tmb） |
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