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  • 型号: FDME510PZT
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDME510PZT产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDME510PZT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDME510PZT价格参考。Fairchild SemiconductorFDME510PZT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型。您可以下载FDME510PZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDME510PZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDME510PZT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDME510PZT 的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率转换电路。
   - DC-DC 转换器:可用于降压或升压转换器的主开关或同步整流器,提高效率并减少能量损耗。
   - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电流流向特定负载。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向控制电机的旋转方向。

 3. 电池管理
   - 电池保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流保护、短路保护以及充放电控制。
   - 电量监测:通过 MOSFET 的开关功能实现对电池电流的精确测量。

 4. 信号切换
   - 音频信号切换:在音频设备中用作信号路径切换,确保信号的高保真传输。
   - 数据线路切换:用于 USB 或其他高速数据接口的信号切换,支持热插拔保护。

 5. 汽车电子
   - 车身控制模块 (BCM):用于控制车窗升降、座椅调节等功能中的低功率负载。
   - LED 照明驱动:驱动车内 LED 灯具,提供高效的电流控制。

 6. 消费电子产品
   - 笔记本电脑和智能手机配件:用于充电器、适配器和外设中的功率管理。
   - 家用电器:如吸尘器、电动牙刷等需要小功率电机驱动的设备。

 7. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业自动化系统中传感器信号的放大或隔离。
   - 继电器替代:在某些低功率应用中,MOSFET 可以替代传统机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。

 总结
FDME510PZT 凭借其低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(Vds)和快速开关能力,广泛应用于各种需要高效功率转换和信号切换的场景。它特别适合低功耗、小型化设计的产品,能够满足从消费电子到工业控制的多样化需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 6-MICROFETMOSFET -20V P-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDME510PZTPowerTrench®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDME510PZT

Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

Qg-GateCharge

16 nC

Qg-栅极电荷

16 nC

RdsOn-漏源导通电阻

31 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.5 V

上升时间

10 ns

下降时间

54 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1490pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

37 毫欧 @ 6A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MicroFET(1.6x1.6)

其它名称

FDME510PZTDKR

典型关闭延迟时间

93 ns

功率-最大值

700mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

31 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 1.6x1.6 Thin

工厂包装数量

5000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

21 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Ta)

系列

FDME510PZT

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