Datasheet下载- 型号： IXTX32P60P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX32P60P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX32P60P价格参考。IXYSIXTX32P60P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTX32P60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTX32P60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTX32P60P是一款功率MOSFET晶体管，主要应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件具有高耐压、大电流承载能力，适用于工业控制、电源转换、电机驱动、逆变器及充电系统等领域。在电力电子设备中，它可用于开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、UPS不间断电源以及新能源系统如太阳能逆变器等。此外，该MOSFET也可用于高功率负载的开关控制，如电焊机、电磁加热装置和电动工具驱动电路中。其优异的导通特性和快速开关性能有助于提升系统效率并减少热量产生，适合对稳定性和可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 32 A |
| Id-连续漏极电流 | - 32 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTX32P60PPolarP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTX32P60P |
| Pd-PowerDissipation | 890 W |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Qg-GateCharge | 196 nC |
| Qg-栅极电荷 | 196 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 196nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 功率-最大值 | 890W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
| 系列 | IXTX32P60 |
| 通道模式 | Enhancement |
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