【未分类_SI4455DY-T1-GE3】封装/厂家_SI4455DY-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI4455DY-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4455DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4455DY-T1-GE3价格参考￥4.21-￥11.59。VishaySI4455DY-T1-GE3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SI4455DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4455DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4455DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括以下领域：

1. 电源管理：  
   该 MOSFET 适用于各种开关电源（SMPS）设计，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高效能的 DC-DC 转换中表现出色，适合电池供电设备和便携式电子产品的电源管理。

2. 负载开关：  
   在需要快速切换负载的应用中，SI4455DY-T1-GE3 可用作负载开关，控制电路的开启与关闭。其小型化的封装（如 DPAK 或类似的表面贴装封装）非常适合空间受限的设计。

3. 电机驱动：  
   该器件可用于小型直流电机驱动，例如智能手机振动马达、玩具电机或其他低功率电机应用。其低导通电阻有助于减少功耗并提高效率。

4. 电池保护：  
   在电池管理系统（BMS）中，这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流的功能，确保电池的安全运行。

5. 信号切换：  
   在通信和数据传输领域，SI4455DY-T1-GE3 可用作信号路径的切换元件，支持高速信号切换，同时保持低损耗。

6. 汽车电子：  
   尽管其额定电压和电流可能不适合高功率汽车应用，但在一些低功率车载电子模块中（如传感器接口、LED 驱动等），它仍然可以发挥作用。

7. 消费类电子产品：  
   包括手机充电器、笔记本适配器、USB-PD 控制器等场景中，这款 MOSFET 可以提供高效的功率转换和稳定的性能。

总结来说，SI4455DY-T1-GE3 凭借其低导通电阻、小封装尺寸和可靠的性能，广泛应用于低功率、高效率需求的电子设备中，特别适合对空间和能耗有严格要求的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 150V 2A SO-8
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI4455DY-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1190pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	42nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	295 毫欧 @ 4A，10V
供应商器件封装	8-SO
功率-最大值	3.1W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2A （Ta）