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Datasheet下载- 型号： SUM110N10-09-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM110N10-09-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM110N10-09-E3价格参考。VishaySUM110N10-09-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）。您可以下载SUM110N10-09-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUM110N10-09-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUM110N10-09-E3是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 SUM110N10-09-E3适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、降压/升压转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源转换效率，特别适合用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理系统。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人、智能家居设备中的电机控制，SUM110N10-09-E3可以作为高效的开关元件，用于控制电机的启停、转向和速度调节。其快速开关特性和低功耗有助于延长电池寿命。 3. 负载切换 该MOSFET常用于负载切换电路中，例如在服务器、通信设备和其他工业控制系统中，用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。它能够快速响应并切断电流，确保系统的稳定性和安全性。 4. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，SUM110N10-09-E3可用于电池充放电控制、电量监测和保护功能。它的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命，并提高系统的整体能效。 5. LED驱动 在LED照明系统中，尤其是高亮度LED的应用场景下，SUM110N10-09-E3可以用作恒流驱动器或调光控制器。其高效的开关特性使得LED灯可以在不同亮度级别下工作，同时保持较低的能耗。 6. 消费电子 该MOSFET还广泛应用于消费电子产品中，如智能手表、可穿戴设备、智能家居产品等。这些设备通常对功耗和体积有严格要求，SUM110N10-09-E3的小型封装和高效性能使其成为理想选择。 总的来说，SUM110N10-09-E3凭借其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，适用于多种需要高效开关和低功耗的电路设计，特别是在便携式设备和功率敏感应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAKMOSFET 100V 110A 375W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110N10-09-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM110N10-09-E3SUM110N10-09-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 下降时间 | 130 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | SUM110N10-09-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 110A （Tc） |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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