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Datasheet下载- 型号： SIR878ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIR878ADP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR878ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR878ADP-T1-GE3价格参考。VishaySIR878ADP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 5W（Ta），44.5W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR878ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR878ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR878ADP-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中的开关元件，提供高效的功率转换。 - 开关模式电源（SMPS）：作为主开关器件，适用于各种电压调节模块（VRM）和适配器。 - 负载开关：在便携式设备中控制电源路径，实现快速开启/关闭和过流保护。 2. 电机驱动与控制 - 小型直流电机驱动：适用于玩具、家用电器等低功率电机控制。 - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转、反转及制动功能。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池充放电保护：通过低导通电阻减少功耗，延长电池寿命。 - 电流检测与限制：防止过流或短路对电池造成损害。 4. 消费电子 - 笔记本电脑和平板电脑：用于内部电源分配和管理。 - 智能手机：实现高效电源切换和热插拔保护。 - 音频放大器：用作输出级开关，提高音质并降低失真。 5. 工业应用 - 信号隔离与传输：在工业自动化系统中，作为高速开关隔离不同电压域。 - 固态继电器（SSR）：替代传统机械继电器，实现更长寿命和更快响应时间。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大和电源管理。 - LED照明驱动：为车内外LED灯提供稳定电流。 - 电动助力转向（EPS）：在低功耗要求下实现精确控制。 7. 通信设备 - 基站电源模块：支持高效率功率转换，降低散热需求。 - 网络交换机和路由器：用于电源管理和信号调理。 SIR878ADP-T1-GE3凭借其低导通电阻（典型值为1.2mΩ）、高电流能力（连续漏极电流可达104A）以及出色的热性能，非常适合上述各类高效能需求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR878ADP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR878ADP-T1-GE3SIR878ADP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 44.5 W |
| Pd-功率耗散 | 44.5 W |
| Qg-GateCharge | 13.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1275pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR878ADP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 44.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 44 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxADP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR878ADP-GE3 |
