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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN26N90由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN26N90价格参考。IXYSIXFN26N90封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN26N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN26N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN26N90是一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET,适用于多种功率电子应用。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源模块,适用于工业电源系统和开关电源(SMPS)中,因其高耐压(900V)和大电流(26A)特性。 2. 电机驱动与控制:可用于变频器、伺服驱动器及电动工具中的电机控制电路,提供高效能的开关操作。 3. 新能源领域:在太阳能逆变器、储能系统和风能变换装置中,作为核心功率器件实现能量的高效转换。 4. 照明系统:用于高强度气体放电灯(HID)或LED路灯等大功率照明设备的电源管理。 5. 工业自动化设备:如PLC、工业机器人等需要高可靠性和高效率功率开关的场合。 该MOSFET具备低导通电阻和优良的热稳定性,适合高频开关应用,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFN26N90 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 13A,10V |
供应商器件封装 | SOT-227B |
功率-最大值 | 600W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 10 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A |