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Datasheet下载- 型号： IRFS3207PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3207PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3207PBF价格参考￥17.20-￥21.02。International RectifierIRFS3207PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS3207PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3207PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFS3207PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款MOSFET晶体管，属于N沟道增强型功率MOSFET。该型号主要应用于需要高效开关和低导通损耗的场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IRFS3207PBF适用于各种类型的开关电源（SMPS），如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于降低功耗，提高整体效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，这款MOSFET可用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机或伺服电机。它能够快速切换并承受高电流负载，适合工业自动化设备、家用电器中的电机控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子产品的电池保护电路中，作为充放电路径上的开关元件，确保电池安全运行。 4. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、UPS不间断电源系统及工业变频器中，IRFS3207PBF可以实现高效的功率转换，支持可再生能源发电和电力调节。 5. 负载切换与保护：适用于服务器、通信设备等领域的负载切换功能，提供过流保护、短路保护等功能，保障系统稳定运行。 6. 音频放大器：在大功率音频放大器设计中，该MOSFET可用作输出级器件，以提供高保真度的声音输出。 总之，IRFS3207PBF凭借其优异的电气性能，在需要高性能、高可靠性的电力电子设备中有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAKMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3207PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3207PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 74 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 180 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 180 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl3207.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl3207.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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