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  • 型号: STH210N75F6-2
  • 制造商: STMicroelectronics
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STH210N75F6-2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STH210N75F6-2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH210N75F6-2价格参考。STMicroelectronicsSTH210N75F6-2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2。您可以下载STH210N75F6-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH210N75F6-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2MOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

180 A

Id-连续漏极电流

180 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH210N75F6-2DeepGATE™, STripFET™ VI

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产品型号

STH210N75F6-2

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-栅极电荷

171 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

171nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.8 毫欧 @ 90A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

H²PAK

其它名称

497-11251-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF250712?referrer=70071840

功率-最大值

300W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

H2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

180A (Tc)

系列

STH210N75F6-2

配置

Single

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