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产品简介:
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ZVN4106FTC 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于中低功率的开关和放大电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的电源开关控制,如便携式电子产品、电源适配器等,具有较低的导通电阻,有助于提高能效。 2. 电机驱动:可用于小型电机的开关控制,如在玩具、风扇或小型家电中作为驱动开关使用。 3. LED 照明控制:适合用于 LED 驱动电路中的开关元件,实现对 LED 灯具的高效开关控制。 4. 负载开关:在各类电子设备中用作负载开关,控制外围设备的电源通断,如 USB 设备、传感器模块等。 5. 逻辑电路接口:适用于数字电路与功率负载之间的接口控制,实现 TTL 或 CMOS 逻辑信号对较高电压或电流负载的控制。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中用于灯光控制、继电器替代、车载充电器等场景,具有一定的耐压和可靠性。 该器件采用小型封装(如 SOT-223),便于在空间受限的电路中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合工业级和消费类电子产品应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZVN4106FTC |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 35pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 欧姆 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
功率-最大值 | 330mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |