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Datasheet下载- 型号： ZXM66P03N8TA
- 制造商： Diodes Inc.
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ZXM66P03N8TA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM66P03N8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM66P03N8TA价格参考。Diodes Inc.ZXM66P03N8TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 6.25A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO。您可以下载ZXM66P03N8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXM66P03N8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXM66P03N8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： ZXM66P03N8TA 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）等应用中，能够有效降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，该 MOSFET 可用作开关元件，驱动直流电机或步进电机。其快速开关能力和低损耗特性有助于实现高效的电机控制。 3. 负载开关： 由于其低导通电阻和较小的封装尺寸，ZXM66P03N8TA 常被用作负载开关，应用于消费电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，以实现对不同电路模块的动态供电管理。 4. 电池保护与管理： 在便携式设备的电池管理系统中，这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电路径的控制，确保电池的安全运行。 5. 信号切换： 在需要高频信号切换的应用中，例如数据通信接口或音频信号切换，ZXM66P03N8TA 的低电容和快速响应能力可提供优异的性能。 6. 汽车电子： 尽管 ZXM66P03N8TA 的额定电压和电流范围可能更适合低功率应用，但在某些汽车电子系统中（如车内照明、传感器控制或辅助功能），它也可以作为可靠的开关元件使用。 总结来说，ZXM66P03N8TA 凭借其高性能参数和紧凑的封装设计，广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备以及部分汽车电子领域的低功率开关和电源管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOICMOSFET 30V P-Chnl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 7.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 7.9 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM66P03N8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXM66P03N8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16.3 ns |
| 下降时间 | 39.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1979pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXM66P03N8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 94.6 ns |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.25A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
