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Datasheet下载- 型号： IRFUC20PBF
- 制造商： Vishay
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IRFUC20PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFUC20PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFUC20PBF价格参考。VishayIRFUC20PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA。您可以下载IRFUC20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFUC20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFUC20PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括以下方面： 1. 开关电源（SMPS）： 该器件适用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、降压或升压电路。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动： IRFUC20PBF可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力（60V）适合低压电机驱动场景。 3. 负载开关： 在便携式电子设备中，该MOSFET可用作负载开关，实现对不同负载的动态供电管理，降低功耗并保护电路。 4. 电池管理系统（BMS）： 用于电池充放电保护电路中，通过控制充电电流和放电路径，确保电池的安全运行。其低导通电阻有助于减少电池内阻带来的热损耗。 5. 逆变器和光伏系统： 在小型逆变器或太阳能光伏系统中，该器件可作为功率开关，参与能量转换过程，支持高效的电能传输。 6. LED驱动： 在LED照明应用中，IRFUC20PBF可以用于恒流源电路，精确控制LED亮度并提供稳定的工作条件。 7. 信号放大与缓冲： 虽然主要用作开关器件，但在某些低频应用中，也可用作信号放大或缓冲器。 总结来说，IRFUC20PBF凭借其低导通电阻（典型值为8.5mΩ）、高开关速度和较小的封装尺寸（SOT-23），非常适合需要高效、紧凑设计的低压功率管理及开关应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A I-PAKMOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFUC20PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91285 |
| 产品型号 | IRFUC20PBFIRFUC20PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | *IRFUC20PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.4 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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