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  • 型号: IXFH52N50P2
  • 制造商: IXYS
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IXFH52N50P2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH52N50P2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH52N50P2价格参考。IXYSIXFH52N50P2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 52A(Tc) 960W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH52N50P2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH52N50P2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFH52N50P2是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):该器件具有50V的耐压能力,适用于低电压、高效率的开关电源设计。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高转换效率。

2. 电机驱动:IXFH52N50P2可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。

3. 负载开关:在需要快速切换负载的应用中,如消费电子设备中的电池管理系统(BMS),该MOSFET可提供低损耗的开关功能。

4. 逆变器电路:在小型逆变器中,这款MOSFET可以用于将直流电转换为交流电的过程,支持高效的能量转换。

5. 保护电路:适用于过流保护、短路保护等场景,利用其快速开关特性和低导通电阻来实现高效的保护功能。

6. 音频功放:在D类音频放大器中,MOSFET可以用作输出级开关元件,提供高效的声音信号放大。

7. LED驱动:在大功率LED照明系统中,该器件可以用于恒流源电路,确保LED稳定工作并延长使用寿命。

IXFH52N50P2凭借其优良的电气性能和可靠性,适合应用于各类便携式设备、工业自动化设备及家用电器等领域,满足对高效能、低功耗的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 52A TO247MOSFET PolarP2 Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

52 A

Id-连续漏极电流

52 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFH52N50P2PolarP2™ HiPerFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXFH52N50P2

Pd-PowerDissipation

960 W

Pd-功率耗散

960 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

120 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

120 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

113nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

120 毫欧 @ 26A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AD (IXFH)

功率-最大值

960W

包装

管件

单位重量

6.500 g

商标

IXYS

商标名

Polar2 HiPerFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

52A (Tc)

系列

IXFH52N50

配置

Single

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