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IXFH52N50P2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH52N50P2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH52N50P2价格参考。IXYSIXFH52N50P2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 52A(Tc) 960W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH52N50P2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH52N50P2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH52N50P2是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该器件具有50V的耐压能力,适用于低电压、高效率的开关电源设计。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动:IXFH52N50P2可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关:在需要快速切换负载的应用中,如消费电子设备中的电池管理系统(BMS),该MOSFET可提供低损耗的开关功能。 4. 逆变器电路:在小型逆变器中,这款MOSFET可以用于将直流电转换为交流电的过程,支持高效的能量转换。 5. 保护电路:适用于过流保护、短路保护等场景,利用其快速开关特性和低导通电阻来实现高效的保护功能。 6. 音频功放:在D类音频放大器中,MOSFET可以用作输出级开关元件,提供高效的声音信号放大。 7. LED驱动:在大功率LED照明系统中,该器件可以用于恒流源电路,确保LED稳定工作并延长使用寿命。 IXFH52N50P2凭借其优良的电气性能和可靠性,适合应用于各类便携式设备、工业自动化设备及家用电器等领域,满足对高效能、低功耗的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247MOSFET PolarP2 Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
Id-连续漏极电流 | 52 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH52N50P2PolarP2™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFH52N50P2 |
Pd-PowerDissipation | 960 W |
Pd-功率耗散 | 960 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 113nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 26A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
功率-最大值 | 960W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.500 g |
商标 | IXYS |
商标名 | Polar2 HiPerFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 52A (Tc) |
系列 | IXFH52N50 |
配置 | Single |