Datasheet下载- 型号： IXTH52P10P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH52P10P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH52P10P价格参考。IXYSIXTH52P10P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH52P10P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH52P10P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH52P10P是一款P沟道功率MOSFET晶体管，属于单MOSFET器件。该型号具有较高的电压和电流承受能力，耐压值达100V，连续漏极电流可达52A，适用于高功率开关和电源管理场合。 其主要应用场景包括：工业电机驱动控制中的电源开关模块，用于控制直流电机或步进电机的启停与方向；在电源系统中作为开关元件，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变电源中，实现高效电能转换；还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，提供过流保护与功率调节功能；在焊接设备、电焊机等大电流负载设备中，作为主功率开关元件，具备良好的热稳定性和可靠性。 此外，IXTH52P10P采用TO-247封装，散热性能优良，适合在高温环境下工作，因此也常见于工业自动化控制、电力电子设备及高可靠性电源模块中。由于其快速开关特性和低导通电阻，有助于降低功耗，提高系统效率。 综上所述，IXTH52P10P适用于高功率、高可靠性的工业与电力电子领域，是电源控制和功率驱动应用中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 52A TO-247MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 52 A |
| Id-连续漏极电流 | - 52 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH52P10PPolarP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH52P10P |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2845pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52A （Tc） |
| 系列 | IXTH52P10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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