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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF13N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF13N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF13N10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF13N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF13N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF13N10是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器中,作为高效的功率开关元件,提高能量转换效率。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机或无刷电机控制系统中,用于实现快速开关和高效能控制。 3. 负载开关:可用于电池供电设备中的负载切换,如笔记本电脑、平板、智能家电等,实现低损耗的电源控制。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或小型逆变器中,作为关键的功率开关器件,实现电能形式的转换。 5. 照明系统:在LED驱动电路或高强度放电灯(HID)镇流器中使用,支持高频开关操作,减小系统体积并提升效率。 该MOSFET具备良好的导通电阻与开关特性,适合需要高效能、小型化设计的工业与消费类电子产品。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF13N10 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 4.35A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 30W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.7A (Tc) |