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  • 型号: IPB09N03LA G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB09N03LA G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB09N03LA G价格参考。InfineonIPB09N03LA G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB09N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB09N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB09N03LA_Rev1.6_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429d4e14208

产品图片

产品型号

IPB09N03LA G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 20µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1642pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.9 毫欧 @ 30A,10V

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

IPB09N03LAGXT
SP000068859

功率-最大值

63W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

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