Datasheet下载- 型号： IPB09N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB09N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB09N03LA G价格参考。InfineonIPB09N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB09N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB09N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPB09N03LA G是一款N沟道增强型MOSFET，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：该型号具有低导通电阻（Rds(on)），非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它的快速开关特性和低损耗特性可以提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在小型直流电机驱动中，IPB09N03LA G可以用作功率级开关，控制电机的启停、速度和方向。其耐压能力（30V）适合低电压电机驱动系统。 3. 负载切换：在汽车电子或工业控制领域，这款MOSFET可用于负载切换电路，实现对不同负载的动态控制，同时确保系统的稳定性和可靠性。 4. 电池管理：适用于锂电池保护电路，用于过流保护、短路保护以及充放电控制。其低导通电阻有助于减少功率损耗，延长电池寿命。 5. LED驱动：在大功率LED照明应用中，该器件可作为开关元件，配合PWM调光技术，实现高效稳定的LED亮度调节。 6. 消费类电子产品：如适配器、充电器等便携式设备中，IPB09N03LA G能够提供高效的功率转换，满足小型化和节能需求。 7. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等领域，该MOSFET可用于信号放大和驱动外部设备。 总之，IPB09N03LA G凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的各种场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB09N03LA_Rev1.6_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429d4e14208 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB09N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1642pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB09N03LAGXT |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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