Datasheet下载- 型号： RSD220N06TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD220N06TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD220N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD220N06TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSD220N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSD220N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号 RSD220N06TL 是一款 N 沟道 MOSFET，属于功率场效应晶体管。其主要参数包括最大漏源电压（Vds）为 60V，导通电阻低，适合高频开关应用。 该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器中，用于提高能效和减小体积。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制电路，提供快速开关和低损耗。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为高效开关使用，实现对负载的通断控制。 4. 逆变器与变频器：用于低功率逆变系统中，支持高效的电能转换。 5. 工业自动化设备：如PLC、传感器模块中的功率控制部分。 6. 汽车电子：车载充电系统、LED照明驱动等场景，因其具备较高的可靠性和耐环境能力。 该MOSFET封装小巧，适合高密度PCB布局，且具有良好的热稳定性，适用于需要高效能与小型化设计的各类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22A SOT428MOSFET Nch 60V 22A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSD220N06TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSD220N06TL |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | RSD220N06TLDKR |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-428 |
| 封装/箱体 | CPT-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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