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Datasheet下载- 型号： TK8A60DA(STA4,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK8A60DA(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK8A60DA(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK8A60DA(STA4,Q,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK8A60DA(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK8A60DA(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK8A60DA（STA4,Q,M） 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET 晶体管，主要应用于以下场景： 该器件是一款 N沟道功率MOSFET，具备高耐压和大电流特性，适用于需要高效能功率管理的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，提供高效、稳定的功率转换。 2. 电机驱动：适用于电动工具、工业自动化设备和小型电机控制系统中，作为开关元件控制电机运行。 3. 照明系统：如LED照明驱动电路，用于调节电流和提高能效。 4. 消费类电子产品：包括电视、音响、充电器等设备中的电源部分。 5. 工业控制设备：用于工业自动化系统、继电器替代、负载开关控制等。 该MOSFET具有良好的热稳定性和较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗，提高系统效率。同时，其封装设计适合表面贴装（SMD），便于自动化生产与小型化设计。 总结：TK8A60DA适用于多种功率电子设备中，尤其适合对效率和稳定性有较高要求的工业与消费类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK8A60DA |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK8A60DA(STA4,Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK8A60DA(STA4QM) |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Ta） |
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